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SI1016X-T1-E3
Dual MOSFET, Complementary N and P Channel, 20 V, 20 V, 600 mA, 600 mA, 0.7 ohm
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產品訊息
製造商VISHAY
製造商產品編號SI1016X-T1-E3复制
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複捲式1470089RL
條帶式包裝1470089
技術資料表
Channel TypeComplementary N and P Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel20V
Drain Source Voltage Vds P Channel20V
Continuous Drain Current Id N Channel600mA
Continuous Drain Current Id P Channel600mA
Drain Source On State Resistance N Channel0.7ohm
Drain Source On State Resistance P Channel0.7ohm
Transistor Case StyleSOT-563
No. of Pins6Pins
Power Dissipation N Channel250mW
Power Dissipation P Channel250mW
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (15-Jun-2015)
SI1016X-T1-E3 的替代選擇
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技術規格
Channel Type
Complementary N and P Channel
Drain Source Voltage Vds P Channel
20V
Continuous Drain Current Id P Channel
600mA
Drain Source On State Resistance P Channel
0.7ohm
No. of Pins
6Pins
Power Dissipation P Channel
250mW
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Drain Source Voltage Vds N Channel
20V
Continuous Drain Current Id N Channel
600mA
Drain Source On State Resistance N Channel
0.7ohm
Transistor Case Style
SOT-563
Power Dissipation N Channel
250mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (15-Jun-2015)
技術文件 (1)
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法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：Philippines
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：Philippines
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85411000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：是
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:待通知
SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：2.27