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SI1023CX-T1-GE3
Dual MOSFET, P Channel, 20 V, 20 V, 450 mA, 450 mA, 0.63 ohm
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製造商VISHAY
製造商產品編號SI1023CX-T1-GE3复制
製造商標準前置時間56 週
訂購代碼
條帶式包裝3772734
條帶式包裝3772734RL
Product RangeTrenchFET Series
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| 數量 | 價格 |
|---|---|
| 5+ | NT$22.160 |
| 10+ | NT$13.580 |
| 100+ | NT$8.690 |
| 500+ | NT$6.550 |
| 1000+ | NT$4.940 |
| 5000+ | NT$4.380 |
價格Each (Supplied on Cut Tape)
最少: 5
多項: 5
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產品訊息
製造商VISHAY
製造商產品編號SI1023CX-T1-GE3复制
製造商標準前置時間56 週
訂購代碼
條帶式包裝3772734
條帶式包裝3772734RL
Product RangeTrenchFET Series
技術資料表
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel20V
Drain Source Voltage Vds P Channel20V
Continuous Drain Current Id N Channel450mA
Continuous Drain Current Id P Channel450mA
Drain Source On State Resistance N Channel0.63ohm
Drain Source On State Resistance P Channel0.63ohm
Transistor Case StyleSC-89
No. of Pins6Pins
Power Dissipation N Channel220mW
Power Dissipation P Channel220mW
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrenchFET Series
Qualification-
SVHCNo SVHC (04-Feb-2026)
技術規格
Channel Type
P Channel
Drain Source Voltage Vds P Channel
20V
Continuous Drain Current Id P Channel
450mA
Drain Source On State Resistance P Channel
0.63ohm
No. of Pins
6Pins
Power Dissipation P Channel
220mW
Product Range
TrenchFET Series
MSL
MSL 1 - Unlimited
Drain Source Voltage Vds N Channel
20V
Continuous Drain Current Id N Channel
450mA
Drain Source On State Resistance N Channel
0.63ohm
Transistor Case Style
SC-89
Power Dissipation N Channel
220mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (04-Feb-2026)
法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：Germany
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：Germany
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：是
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:是
RoHS
SVHC:No SVHC (04-Feb-2026)
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.000001