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SI1036X-T1-GE3
Dual MOSFET, N Channel, 30 V, 30 V, 610 mA, 610 mA, 0.45 ohm
圖片僅供舉例說明。 請參閱產品描述。
製造商VISHAY
製造商產品編號SI1036X-T1-GE3复制
製造商標準前置時間56 週
訂購代碼
複捲式3929262RL
條帶式包裝3929262
Product RangeTrenchFET Series
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包裝選項
| 包裝類型 | 數量 | 單價: | 總計 |
|---|---|---|---|
| 條帶式包裝 | 5 | NT$22.240 | NT$111.20 |
| 總計 價格 | NT$111.20 | ||
條帶式包裝 & 複捲式
| 數量 | 價格 |
|---|---|
| 5+ | NT$22.240 |
| 10+ | NT$13.760 |
| 100+ | NT$8.780 |
| 500+ | NT$6.640 |
| 1000+ | NT$5.000 |
| 5000+ | NT$3.920 |
品項附註
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產品訊息
製造商VISHAY
製造商產品編號SI1036X-T1-GE3复制
製造商標準前置時間56 週
訂購代碼
複捲式3929262RL
條帶式包裝3929262
Product RangeTrenchFET Series
技術資料表
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel30V
Drain Source Voltage Vds P Channel30V
Continuous Drain Current Id N Channel610mA
Continuous Drain Current Id P Channel610mA
Drain Source On State Resistance N Channel0.45ohm
Drain Source On State Resistance P Channel0.45ohm
Transistor Case StyleSC-89
No. of Pins6Pins
Power Dissipation N Channel220mW
Power Dissipation P Channel220mW
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrenchFET Series
Qualification-
SVHCNo SVHC (04-Feb-2026)
技術規格
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds P Channel
30V
Continuous Drain Current Id P Channel
610mA
Drain Source On State Resistance P Channel
0.45ohm
No. of Pins
6Pins
Power Dissipation P Channel
220mW
Product Range
TrenchFET Series
MSL
MSL 1 - Unlimited
Drain Source Voltage Vds N Channel
30V
Continuous Drain Current Id N Channel
610mA
Drain Source On State Resistance N Channel
0.45ohm
Transistor Case Style
SC-89
Power Dissipation N Channel
220mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (04-Feb-2026)
法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：Germany
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：Germany
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：是
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:是
RoHS
SVHC:No SVHC (04-Feb-2026)
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.001