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包裝選項
| 包裝類型 | 數量 | 單價: | 總計 |
|---|---|---|---|
| 條帶式包裝 | 5 | NT$22.060 | NT$110.30 |
| 總計 價格 | NT$110.30 | ||
條帶式包裝 & 複捲式
| 數量 | 價格 |
|---|---|
| 5+ | NT$22.060 |
| 50+ | NT$18.020 |
| 100+ | NT$13.980 |
| 500+ | NT$6.410 |
| 1500+ | NT$6.290 |
整卷
| 數量 | 價格 |
|---|---|
| 3000+ | NT$5.700 |
| 9000+ | NT$5.590 |
品項附註
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產品訊息
製造商VISHAY
製造商產品編號SI1308EDL-T1-GE3复制
製造商標準前置時間18 週
訂購代碼
整卷3879347
複捲式2283646RL
條帶式包裝2283646
Product RangeE
技術資料表
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id1.4A
Drain Source On State Resistance0.132ohm
Transistor Case StyleSOT-323
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max600mV
Power Dissipation500mW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeE
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (04-Feb-2026)
產品總覽
The SI1308EDL-T1-GE3 is a 30V N-channel TrenchFET® Power MOSFET with power dissipation at 500mW.
- PWM optimized for fast switching
- 100% Rg Tested
- Up to 1800V ESD protection
- Halogen-free
應用
Power Management, Industrial
技術規格
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
1.4A
Transistor Case Style
SOT-323
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
500mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (04-Feb-2026)
Drain Source Voltage Vds
30V
Drain Source On State Resistance
0.132ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
600mV
No. of Pins
3Pins
Product Range
E
MSL
-
SI1308EDL-T1-GE3 的替代選擇
找到 1 個產品
法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：是
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:是
RoHS
SVHC:No SVHC (04-Feb-2026)
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.000363