列印頁面
SI1427EDH-T1-GE3
Power MOSFET, P Channel, 20 V, 2 A, 0.064 ohm, SOT-363, Surface Mount
1,730 有存貨
需要更多？
1,730 件可于 3-4 個工作日後配送(英國 件庫存)
包裝選項
| 包裝類型 | 數量 | 單價: | 總計 |
|---|---|---|---|
| 條帶式包裝 | 5 | NT$20.700 | NT$103.50 |
| 總計 價格 | NT$103.50 | ||
條帶式包裝 & 複捲式
| 數量 | 價格 |
|---|---|
| 5+ | NT$20.700 |
| 10+ | NT$9.360 |
| 100+ | NT$8.230 |
| 500+ | NT$6.220 |
| 1000+ | NT$5.980 |
| 5000+ | NT$5.740 |
品項附註
僅針對此訂單新增至訂單確認、發票和出貨備註。
產品訊息
製造商VISHAY
製造商產品編號SI1427EDH-T1-GE3复制
製造商標準前置時間56 週
訂購代碼
複捲式2056679RL
條帶式包裝2056679
技術資料表
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds20V
Continuous Drain Current Id2A
Drain Source On State Resistance0.064ohm
Transistor Case StyleSOT-363
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage4.5V
Gate Source Threshold Voltage Max400mV
Power Dissipation2.8W
No. of Pins6Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (04-Feb-2026)
產品總覽
The SI1427EDH-T1-GE3 is a 20VDS TrenchFET® P-channel enhancement-mode Power MOSFET suitable for load switch applications.
- 2000V ESD performance
- Built in ESD protection with Zener diode
- 100% Rg tested
- -55 to 150°C Operating temperature range
- Halogen-free
應用
Industrial, Power Management, Portable Devices
技術規格
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
2A
Transistor Case Style
SOT-363
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Power Dissipation
2.8W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (04-Feb-2026)
Drain Source Voltage Vds
20V
Drain Source On State Resistance
0.064ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
400mV
No. of Pins
6Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
相關產品
找到 1 個產品
法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：Germany
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：Germany
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：是
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:是
RoHS
SVHC:No SVHC (04-Feb-2026)
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.000005