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SI2300DS-T1-GE3
Power MOSFET, N Channel, 30 V, 3.6 A, 0.068 ohm, SOT-23, Surface Mount
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產品訊息
製造商VISHAY
製造商產品編號SI2300DS-T1-GE3复制
製造商標準前置時間56 週
訂購代碼2335283
技術資料表
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id3.6A
Drain Source On State Resistance0.068ohm
Transistor Case StyleSOT-23
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage4.5V
Gate Source Threshold Voltage Max600mV
Power Dissipation1.7W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (04-Feb-2026)
產品總覽
The SI2300DS-T1-GE3 is a 30VDS TrenchFET® N-channel enhancement-mode Power MOSFET suitable for load switch and DC-to-DC converter applications.
- 100% Rg tested
- Halogen-free
- -55 to 150°C Operating temperature range
應用
Industrial, Power Management, Portable Devices
技術規格
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
3.6A
Transistor Case Style
SOT-23
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Power Dissipation
1.7W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (04-Feb-2026)
Drain Source Voltage Vds
30V
Drain Source On State Resistance
0.068ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
600mV
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：Germany
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：Germany
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：是
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:是
RoHS
SVHC:No SVHC (04-Feb-2026)
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.00005