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SI2303CDS-T1-GE3
Power MOSFET, P Channel, 30 V, 2.7 A, 0.19 ohm, SOT-23, Surface Mount
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包裝選項
| 包裝類型 | 數量 | 單價: | 總計 |
|---|---|---|---|
| 條帶式包裝 | 5 | NT$12.950 | NT$64.75 |
| 總計 價格 | NT$64.75 | ||
條帶式包裝 & 複捲式
| 數量 | 價格 |
|---|---|
| 5+ | NT$12.950 |
| 50+ | NT$12.180 |
| 100+ | NT$11.410 |
| 500+ | NT$8.550 |
| 1500+ | NT$8.380 |
整卷
| 數量 | 價格 |
|---|---|
| 3000+ | NT$7.900 |
| 9000+ | NT$7.110 |
品項附註
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產品訊息
製造商VISHAY
製造商產品編號SI2303CDS-T1-GE3复制
製造商標準前置時間52 週
訂購代碼
整卷3879337
複捲式1858938RL
條帶式包裝1858938
技術資料表
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id2.7A
Drain Source On State Resistance0.19ohm
Transistor Case StyleSOT-23
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3V
Power Dissipation2.3W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (04-Feb-2026)
產品總覽
The SI2303CDS-T1-GE3 is a 30VDS TrenchFET® P-channel enhancement-mode Power MOSFET suitable for load switch applications.
- 100% Rg tested
- 100% UIS tested
- Halogen-free
- -55 to 150°C Operating temperature range
應用
Industrial, Power Management
技術規格
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
2.7A
Transistor Case Style
SOT-23
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
2.3W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (04-Feb-2026)
Drain Source Voltage Vds
30V
Drain Source On State Resistance
0.19ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：United States
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：United States
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：是
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:是
RoHS
SVHC:No SVHC (04-Feb-2026)
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.000408