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SI2305CDS-T1-BE3
Power MOSFET, P Channel, 8 V, 5.8 A, 0.035 ohm, TO-236, Surface Mount
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製造商VISHAY
製造商產品編號SI2305CDS-T1-BE3复制
製造商標準前置時間23 週
訂購代碼
複捲式4853619RL
條帶式包裝4853619
Product RangeTrenchFET Series
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包裝選項
| 包裝類型 | 數量 | 單價: | 總計 |
|---|---|---|---|
| 條帶式包裝 | 5 | NT$19.140 | NT$95.70 |
| 總計 價格 | NT$95.70 | ||
條帶式包裝 & 複捲式
| 數量 | 價格 |
|---|---|
| 5+ | NT$19.140 |
| 10+ | NT$11.820 |
| 100+ | NT$7.570 |
| 500+ | NT$5.710 |
| 1000+ | NT$4.830 |
| 5000+ | NT$3.950 |
品項附註
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產品訊息
製造商VISHAY
製造商產品編號SI2305CDS-T1-BE3复制
製造商標準前置時間23 週
訂購代碼
複捲式4853619RL
條帶式包裝4853619
Product RangeTrenchFET Series
技術資料表
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds8V
Continuous Drain Current Id5.8A
Drain Source On State Resistance0.035ohm
Transistor Case StyleTO-236
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage4.5V
Gate Source Threshold Voltage Max1V
Power Dissipation1.7W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrenchFET Series
Qualification-
SVHCNo SVHC (04-Feb-2026)
技術規格
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
5.8A
Transistor Case Style
TO-236
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Power Dissipation
1.7W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
8V
Drain Source On State Resistance
0.035ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
1V
No. of Pins
3Pins
Product Range
TrenchFET Series
SVHC
No SVHC (04-Feb-2026)
法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：United States
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：United States
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：是
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:是
RoHS
SVHC:No SVHC (04-Feb-2026)
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.015