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SI2309CDS-T1-GE3
Power MOSFET, P Channel, 60 V, 1.6 A, 0.345 ohm, SOT-23, Surface Mount
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包裝選項
| 包裝類型 | 數量 | 單價: | 總計 |
|---|---|---|---|
| 條帶式包裝 | 5 | NT$19.960 | NT$99.80 |
| 總計 價格 | NT$99.80 | ||
條帶式包裝 & 複捲式
| 數量 | 價格 |
|---|---|
| 5+ | NT$19.960 |
| 50+ | NT$16.440 |
| 100+ | NT$12.900 |
| 500+ | NT$10.930 |
| 1500+ | NT$8.940 |
整卷
| 數量 | 價格 |
|---|---|
| 3000+ | NT$8.760 |
| 9000+ | NT$7.880 |
品項附註
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產品訊息
製造商VISHAY
製造商產品編號SI2309CDS-T1-GE3复制
製造商標準前置時間13 週
訂購代碼
整卷3879332
複捲式1779264RL
條帶式包裝1779264
技術資料表
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id1.6A
Drain Source On State Resistance0.345ohm
Transistor Case StyleSOT-23
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max1V
Power Dissipation1.7W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (04-Feb-2026)
產品總覽
The SI2309CDS-T1-GE3 is a P-Channel 60V Power MOSFET with ±20V gate source voltage. It works on TrenchFET® power MOSFET technology.
- Halogen-free
應用
Audio, Signal Processing
技術規格
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
1.6A
Transistor Case Style
SOT-23
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
1.7W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (04-Feb-2026)
Drain Source Voltage Vds
60V
Drain Source On State Resistance
0.345ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
1V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
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法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：Israel
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：Israel
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：是
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:是
RoHS
SVHC:No SVHC (04-Feb-2026)
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.000068