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SI2315BDS-T1-GE3.
P CHANNEL MOSFET
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| 數量 | 價格 |
|---|---|
| 1+ | NT$34.600 |
| 10+ | NT$21.640 |
| 25+ | NT$19.130 |
| 50+ | NT$16.610 |
| 100+ | NT$14.100 |
| 250+ | NT$12.490 |
| 500+ | NT$10.860 |
| 1000+ | NT$10.510 |
價格Each (Supplied on Cut Tape)
最少: 1
多項: 1
NT$34.60
品項附註
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產品訊息
製造商VISHAY
製造商產品編號SI2315BDS-T1-GE3.
訂購代碼1867177
技術資料表
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds12V
Drain Source On State Resistance0.05ohm
Transistor Case StyleSOT-23
Transistor MountingSurface Mount
Power Dissipation750mW
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
技術規格
Channel Type
P Channel
Drain Source On State Resistance
0.05ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Drain Source Voltage Vds
12V
Transistor Case Style
SOT-23
Power Dissipation
750mW
Product Range
-
MSL
-
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法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：是
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.000044