列印頁面
SI2315BDS-T1-GE3.
P CHANNEL MOSFET
圖片僅供舉例說明。 請參閱產品描述。
5,699 有存貨
需要更多？
5,699 件可于 4-5 個工作日後配送(美國 件庫存)
| 數量 | 價格 |
|---|---|
| 1+ | NT$40.190 |
| 10+ | NT$24.730 |
| 100+ | NT$16.250 |
| 500+ | NT$12.780 |
| 1000+ | NT$9.910 |
| 5000+ | NT$8.750 |
價格Each (Supplied on Cut Tape)
最少: 1
多項: 1
NT$40.19
品項附註
僅針對此訂單新增至訂單確認、發票和出貨備註。
產品訊息
製造商VISHAY
製造商產品編號SI2315BDS-T1-GE3.复制
製造商標準前置時間15 週
訂購代碼1867177
技術資料表
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds12V
Drain Source On State Resistance0.05ohm
Transistor Case StyleSOT-23
Transistor MountingSurface Mount
Power Dissipation750mW
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
技術規格
Channel Type
P Channel
Drain Source On State Resistance
0.05ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Drain Source Voltage Vds
12V
Transistor Case Style
SOT-23
Power Dissipation
750mW
Product Range
-
MSL
-
SI2315BDS-T1-GE3. 的替代選擇
找到 2 個產品
法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：是
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.000044