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SI2319CDS-T1-GE3
Power MOSFET, P Channel, 40 V, 4.4 A, 0.077 ohm, SOT-23, Surface Mount
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包裝選項
| 包裝類型 | 數量 | 單價: | 總計 |
|---|---|---|---|
| 條帶式包裝 | 1 | NT$43.840 | NT$43.84 |
| 總計 價格 | NT$43.84 | ||
條帶式包裝 & 複捲式
| 數量 | 價格 |
|---|---|
| 1+ | NT$43.840 |
| 10+ | NT$31.340 |
| 100+ | NT$19.490 |
| 500+ | NT$13.440 |
| 1000+ | NT$10.150 |
| 5000+ | NT$9.950 |
品項附註
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產品訊息
製造商VISHAY
製造商產品編號SI2319CDS-T1-GE3复制
製造商標準前置時間56 週
訂購代碼
複捲式1858942RL
條帶式包裝1858942
技術資料表
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds40V
Continuous Drain Current Id4.4A
Drain Source On State Resistance0.077ohm
Transistor Case StyleSOT-23
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max1.2V
Power Dissipation1.25W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (04-Feb-2026)
產品總覽
The SI2319CDS-T1-GE3 is a P-channel TrenchFET® Power MOSFET with 175°C operating temperature.
- ±20V Gate-source voltage
應用
Industrial
技術規格
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
4.4A
Transistor Case Style
SOT-23
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
1.25W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (04-Feb-2026)
Drain Source Voltage Vds
40V
Drain Source On State Resistance
0.077ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
1.2V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
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法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：United States
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：United States
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：是
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:是
RoHS
SVHC:No SVHC (04-Feb-2026)
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.000181