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SI2319DS-T1-E3
Power MOSFET, P Channel, 40 V, 3 A, 0.082 ohm, TO-236, Surface Mount
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包裝選項
| 包裝類型 | 數量 | 單價: | 總計 |
|---|---|---|---|
| 條帶式包裝 | 5 | NT$40.870 | NT$204.35 |
| 總計 價格 | NT$204.35 | ||
條帶式包裝 & 複捲式
| 數量 | 價格 |
|---|---|
| 5+ | NT$40.870 |
| 50+ | NT$40.060 |
| 100+ | NT$39.240 |
| 500+ | NT$38.420 |
| 1500+ | NT$37.610 |
品項附註
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產品訊息
製造商VISHAY
製造商產品編號SI2319DS-T1-E3复制
製造商標準前置時間8 週
訂購代碼
複捲式1838990RL
條帶式包裝1838990
技術資料表
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds40V
Continuous Drain Current Id3A
Drain Source On State Resistance0.082ohm
Transistor Case StyleTO-236
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3V
Power Dissipation750mW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (04-Feb-2026)
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產品總覽
The SI2319DS-T1-E3 is a -40V P-channel TrenchFET® Power MOSFET. The surface-mounted LITTLE FOOT® power MOSFET uses integrated circuit and small-signal packages which have been modified to provide the heat transfer capabilities required by power devices.
- Halogen-free according to IEC 61249-2-21 definition
應用
Power Management
技術規格
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
3A
Transistor Case Style
TO-236
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
750mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (04-Feb-2026)
Drain Source Voltage Vds
40V
Drain Source On State Resistance
0.082ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：United States
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：United States
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：是
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:是
RoHS
SVHC:No SVHC (04-Feb-2026)
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.002