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SI2337DS-T1-E3.
P CHANNEL MOSFET, -80V, 2.2A TO-236
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| 數量 | 價格 |
|---|---|
| 3000+ | NT$48.940 |
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產品訊息
製造商VISHAY
製造商產品編號SI2337DS-T1-E3.复制
訂購代碼1792186
技術資料表
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds80V
Continuous Drain Current Id2.2A
Drain Source On State Resistance0.216ohm
Transistor Case StyleTO-236
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage6V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation2.5W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (17-Jan-2023)
技術規格
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
2.2A
Transistor Case Style
TO-236
Rds(on) Test Voltage
6V
Power Dissipation
2.5W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (17-Jan-2023)
Drain Source Voltage Vds
80V
Drain Source On State Resistance
0.216ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
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法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85412900
符合 RoHS 規定：是
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:待通知
SVHC:No SVHC (17-Jan-2023)
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.000091