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SI3410DV-T1-GE3
Power MOSFET, N Channel, 30 V, 8 A, 0.0195 ohm, TSOP, Surface Mount
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包裝選項
| 包裝類型 | 數量 | 單價: | 總計 |
|---|---|---|---|
| 條帶式包裝 | 5 | NT$26.330 | NT$131.65 |
| 總計 價格 | NT$131.65 | ||
條帶式包裝 & 複捲式
| 數量 | 價格 |
|---|---|
| 5+ | NT$26.330 |
| 50+ | NT$19.550 |
| 100+ | NT$17.340 |
| 500+ | NT$13.480 |
| 1500+ | NT$13.220 |
品項附註
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產品訊息
製造商VISHAY
製造商產品編號SI3410DV-T1-GE3复制
製造商標準前置時間25 週
訂購代碼
複捲式2454803RL
條帶式包裝2454803
技術資料表
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id8A
Drain Source On State Resistance0.0195ohm
Transistor Case StyleTSOP
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3V
Power Dissipation4.1W
No. of Pins6Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (04-Feb-2026)
產品總覽
警告
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技術規格
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
8A
Transistor Case Style
TSOP
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
4.1W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (04-Feb-2026)
Drain Source Voltage Vds
30V
Drain Source On State Resistance
0.0195ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
No. of Pins
6Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
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法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：Germany
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：Germany
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：是
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:是
RoHS
SVHC:No SVHC (04-Feb-2026)
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.000049