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SI3442BDV-T1-E3
Power MOSFET, N Channel, 20 V, 3 A, 0.057 ohm, TSOP, Surface Mount
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不再生產
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產品訊息
製造商VISHAY
製造商產品編號SI3442BDV-T1-E3复制
訂購代碼
複捲式1497610RL
條帶式包裝1497610
技術資料表
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds20V
Continuous Drain Current Id3A
Drain Source On State Resistance0.057ohm
Transistor Case StyleTSOP
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage4.5V
Gate Source Threshold Voltage Max1.8V
Power Dissipation860mW
No. of Pins6Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
技術規格
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
3A
Transistor Case Style
TSOP
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Power Dissipation
860mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
20V
Drain Source On State Resistance
0.057ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
1.8V
No. of Pins
6Pins
Product Range
-
法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：是
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:待通知
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.0002