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SI3483DDV-T1-GE3
Power MOSFET, P Channel, 30 V, 8 A, 0.0312 ohm, TSOP, Surface Mount
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製造商VISHAY
製造商產品編號SI3483DDV-T1-GE3复制
製造商標準前置時間25 週
訂購代碼
複捲式3224959RL
條帶式包裝3224959
Product RangeTrenchFET Gen IV
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包裝選項
| 包裝類型 | 數量 | 單價: | 總計 |
|---|---|---|---|
| 條帶式包裝 | 5 | NT$19.560 | NT$97.80 |
| 總計 價格 | NT$97.80 | ||
條帶式包裝 & 複捲式
| 數量 | 價格 |
|---|---|
| 5+ | NT$19.560 |
| 50+ | NT$16.130 |
| 100+ | NT$12.690 |
| 500+ | NT$7.920 |
| 1500+ | NT$7.760 |
品項附註
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產品訊息
製造商VISHAY
製造商產品編號SI3483DDV-T1-GE3复制
製造商標準前置時間25 週
訂購代碼
複捲式3224959RL
條帶式包裝3224959
Product RangeTrenchFET Gen IV
技術資料表
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id8A
Drain Source On State Resistance0.0312ohm
Transistor Case StyleTSOP
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.2V
Power Dissipation3W
No. of Pins6Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrenchFET Gen IV
Qualification-
SVHCNo SVHC (04-Feb-2026)
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警告
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技術規格
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
8A
Transistor Case Style
TSOP
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
3W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (04-Feb-2026)
Drain Source Voltage Vds
30V
Drain Source On State Resistance
0.0312ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2.2V
No. of Pins
6Pins
Product Range
TrenchFET Gen IV
MSL
MSL 1 - Unlimited
SI3483DDV-T1-GE3 的替代選擇
找到 4 個產品
法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：Israel
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：Israel
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：是
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:是
RoHS
SVHC:No SVHC (04-Feb-2026)
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.000064