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SI4116DY-T1-GE3
Power MOSFET, N Channel, 25 V, 18 A, 8600 µohm, SOIC, Surface Mount
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包裝選項
| 包裝類型 | 數量 | 單價: | 總計 |
|---|---|---|---|
| 條帶式包裝 | 1 | NT$67.590 | NT$67.59 |
| 總計 價格 | NT$67.59 | ||
條帶式包裝 & 複捲式
| 數量 | 價格 |
|---|---|
| 1+ | NT$67.590 |
| 10+ | NT$42.370 |
| 100+ | NT$27.880 |
| 500+ | NT$22.130 |
| 1000+ | NT$17.990 |
| 5000+ | NT$17.640 |
品項附註
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產品訊息
製造商VISHAY
製造商產品編號SI4116DY-T1-GE3复制
製造商標準前置時間53 週
訂購代碼
複捲式1794777RL
條帶式包裝1794777
技術資料表
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds25V
Continuous Drain Current Id18A
Drain Source On State Resistance8600µohm
Transistor Case StyleSOIC
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max600mV
Power Dissipation5W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (04-Feb-2026)
技術規格
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
18A
Transistor Case Style
SOIC
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
5W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (04-Feb-2026)
Drain Source Voltage Vds
25V
Drain Source On State Resistance
8600µohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
600mV
No. of Pins
8Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：Germany
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：Germany
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85411000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：是
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:是
RoHS
SVHC:No SVHC (04-Feb-2026)
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.00026