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SI4214DDY-T1-E3
Dual MOSFET, Dual N Channel, 30 V, 8.5 A, 0.016 ohm
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製造商VISHAY
製造商產品編號SI4214DDY-T1-E3复制
製造商標準前置時間54 週
訂購代碼
複捲式4853735RL
條帶式包裝4853735
Product RangeTrenchFET Series
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包裝選項
| 包裝類型 | 數量 | 單價: | 總計 |
|---|---|---|---|
| 條帶式包裝 | 1 | NT$51.100 | NT$51.10 |
| 總計 價格 | NT$51.10 | ||
條帶式包裝 & 複捲式
| 數量 | 價格 |
|---|---|
| 1+ | NT$51.100 |
| 10+ | NT$28.460 |
| 100+ | NT$21.000 |
| 500+ | NT$16.470 |
| 1000+ | NT$12.330 |
| 5000+ | NT$12.090 |
品項附註
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產品訊息
製造商VISHAY
製造商產品編號SI4214DDY-T1-E3复制
製造商標準前置時間54 週
訂購代碼
複捲式4853735RL
條帶式包裝4853735
Product RangeTrenchFET Series
技術資料表
Channel TypeDual N Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel30V
Drain Source Voltage Vds P Channel-
Continuous Drain Current Id N Channel8.5A
Continuous Drain Current Id P Channel-
Drain Source On State Resistance N Channel0.016ohm
Drain Source On State Resistance P Channel-
Transistor Case StyleSOIC
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel3.1W
Power Dissipation P Channel-
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrenchFET Series
Qualification-
SVHCNo SVHC (04-Feb-2026)
技術規格
Channel Type
Dual N Channel
Drain Source Voltage Vds P Channel
-
Continuous Drain Current Id P Channel
-
Drain Source On State Resistance P Channel
-
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
-
Product Range
TrenchFET Series
SVHC
No SVHC (04-Feb-2026)
Drain Source Voltage Vds N Channel
30V
Continuous Drain Current Id N Channel
8.5A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.016ohm
Transistor Case Style
SOIC
Power Dissipation N Channel
3.1W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：United States
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：United States
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：是
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:是
RoHS
SVHC:No SVHC (04-Feb-2026)
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.015