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SI4403CDY-T1-GE3
Power MOSFET, P Channel, 20 V, 13.4 A, 0.0155 ohm, SOIC, Surface Mount
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包裝選項
| 包裝類型 | 數量 | 單價: | 總計 |
|---|---|---|---|
| 條帶式包裝 | 5 | NT$26.050 | NT$130.25 |
| 總計 價格 | NT$130.25 | ||
條帶式包裝 & 複捲式
| 數量 | 價格 |
|---|---|
| 5+ | NT$26.050 |
| 50+ | NT$21.590 |
| 100+ | NT$17.130 |
| 500+ | NT$13.300 |
| 1000+ | NT$12.500 |
品項附註
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產品訊息
製造商VISHAY
製造商產品編號SI4403CDY-T1-GE3复制
製造商標準前置時間56 週
訂購代碼
複捲式2056683RL
條帶式包裝2056683
技術資料表
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds20V
Continuous Drain Current Id13.4A
Drain Source On State Resistance0.0155ohm
Transistor Case StyleSOIC
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage4.5V
Gate Source Threshold Voltage Max400mV
Power Dissipation5W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (04-Feb-2026)
產品總覽
The SI4403CDY-T1-GE3 is a 1.8VGS TrenchFET® P-channel enhancement-mode Power MOSFET suitable for adaptor switch, high current load switch and notebook applications.
- 100% Rg tested
- 100% UIS tested
- Halogen-free
- -55 to 150°C Operating temperature range
應用
Industrial, Power Management
技術規格
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
13.4A
Transistor Case Style
SOIC
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Power Dissipation
5W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (04-Feb-2026)
Drain Source Voltage Vds
20V
Drain Source On State Resistance
0.0155ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
400mV
No. of Pins
8Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
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法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：United States
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：United States
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：是
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:是
RoHS
SVHC:No SVHC (04-Feb-2026)
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.000454