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SI4435DDY-T1-E3
Power MOSFET, P Channel, 30 V, 11.4 A, 0.024 ohm, SOIC, Surface Mount
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包裝選項
| 包裝類型 | 數量 | 單價: | 總計 |
|---|---|---|---|
| 條帶式包裝 | 1 | NT$39.130 | NT$39.13 |
| 總計 價格 | NT$39.13 | ||
條帶式包裝 & 複捲式
| 數量 | 價格 |
|---|---|
| 1+ | NT$39.130 |
| 10+ | NT$18.110 |
| 100+ | NT$16.050 |
| 500+ | NT$12.440 |
| 1000+ | NT$12.200 |
| 5000+ | NT$11.950 |
品項附註
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產品訊息
製造商VISHAY
製造商產品編號SI4435DDY-T1-E3复制
製造商標準前置時間4 週
訂購代碼
複捲式2101446RL
條帶式包裝2101446
技術資料表
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id11.4A
Drain Source On State Resistance0.024ohm
Transistor Case StyleSOIC
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3V
Power Dissipation5W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (04-Feb-2026)
產品總覽
The SI4435DDY-T1-E3 is a 30VDS TrenchFET® P-channel enhancement-mode Power MOSFET suitable for load switch and battery switch applications.
- -55 to 150°C Operating temperature range
應用
Industrial, Power Management
技術規格
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
11.4A
Transistor Case Style
SOIC
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
5W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (04-Feb-2026)
Drain Source Voltage Vds
30V
Drain Source On State Resistance
0.024ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
No. of Pins
8Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
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法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：United States
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：United States
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：Y-Ex
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:是
RoHS
SVHC:No SVHC (04-Feb-2026)
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.000225