列印頁面
SI4816BDY-T1-E3
Dual MOSFET, LITTLE FOOT, N Channel + Schottky, 30 V, 30 V, 5.8 A, 5.8 A, 9300 µohm
可供訂購
有貨時通知我
包裝選項
| 包裝類型 | 數量 | 單價: | 總計 |
|---|---|---|---|
| 條帶式包裝 | 1 | NT$100.340 | NT$100.34 |
| 總計 價格 | NT$100.34 | ||
條帶式包裝 & 複捲式
| 數量 | 價格 |
|---|---|
| 1+ | NT$100.340 |
| 10+ | NT$64.500 |
| 100+ | NT$44.200 |
| 500+ | NT$36.400 |
| 1000+ | NT$30.630 |
| 5000+ | NT$30.020 |
品項附註
僅針對此訂單新增至訂單確認、發票和出貨備註。
產品訊息
製造商VISHAY
製造商產品編號SI4816BDY-T1-E3复制
製造商標準前置時間56 週
訂購代碼
複捲式2547314RL
條帶式包裝2547314
技術資料表
Channel TypeN Channel + Schottky
Drain Source Voltage Vds N Channel30V
Drain Source Voltage Vds P Channel30V
Continuous Drain Current Id N Channel5.8A
Continuous Drain Current Id P Channel5.8A
Drain Source On State Resistance N Channel9300µohm
Drain Source On State Resistance P Channel9300µohm
Transistor Case StyleSOIC
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel1.25W
Power Dissipation P Channel1.25W
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (04-Feb-2026)
產品總覽
The SI4816BDY-T1-E3 is a dual N-channel MOSFET with Schottky diode housed in a surface-mount package.
- LITTLE FOOT® Plus power MOSFET
- 100% Rg tested
應用
Industrial, Power Management
技術規格
Channel Type
N Channel + Schottky
Drain Source Voltage Vds P Channel
30V
Continuous Drain Current Id P Channel
5.8A
Drain Source On State Resistance P Channel
9300µohm
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
1.25W
Product Range
-
MSL
-
Drain Source Voltage Vds N Channel
30V
Continuous Drain Current Id N Channel
5.8A
Drain Source On State Resistance N Channel
9300µohm
Transistor Case Style
SOIC
Power Dissipation N Channel
1.25W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (04-Feb-2026)
SI4816BDY-T1-E3 的替代選擇
找到 1 個產品
相關產品
找到 4 個產品
法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：Germany
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：Germany
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：是
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:是
RoHS
SVHC:No SVHC (04-Feb-2026)
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.000364