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SI4840BDY-T1-GE3
MOSFET, N CHANNEL, 40V, 19A, SOIC-8
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|---|---|
| 1+ | NT$77.400 |
| 10+ | NT$52.550 |
| 25+ | NT$47.780 |
| 50+ | NT$36.280 |
| 100+ | NT$32.220 |
| 200+ | NT$30.610 |
| 500+ | NT$29.000 |
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最少: 1
多項: 1
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產品訊息
製造商VISHAY
製造商產品編號SI4840BDY-T1-GE3复制
製造商標準前置時間28 週
訂購代碼2524617
技術資料表
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds40V
Continuous Drain Current Id19A
Drain Source On State Resistance0.0074ohm
Transistor Case StyleNSOIC
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3V
Power Dissipation6W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCLead
技術規格
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
19A
Transistor Case Style
NSOIC
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
6W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead
Drain Source Voltage Vds
40V
Drain Source On State Resistance
0.0074ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
No. of Pins
8Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
SI4840BDY-T1-GE3 的替代選擇
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法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85412900
符合 RoHS 規定：是
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:是
RoHS
SVHC:Lead
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.000236