列印頁面
SI4850EY-T1-GE3
Power MOSFET, N Channel, 60 V, 6 A, 0.022 ohm, SOIC, Surface Mount
可供訂購
有貨時通知我
包裝選項
| 包裝類型 | 數量 | 單價: | 總計 |
|---|---|---|---|
| 條帶式包裝 | 5 | NT$70.540 | NT$352.70 |
| 總計 價格 | NT$352.70 | ||
條帶式包裝 & 複捲式
| 數量 | 價格 |
|---|---|
| 5+ | NT$70.540 |
| 50+ | NT$59.250 |
| 100+ | NT$47.950 |
| 500+ | NT$40.830 |
| 1000+ | NT$37.420 |
品項附註
僅針對此訂單新增至訂單確認、發票和出貨備註。
產品訊息
製造商VISHAY
製造商產品編號SI4850EY-T1-GE3复制
製造商標準前置時間96 週
訂購代碼
複捲式1858964RL
條帶式包裝1858964
技術資料表
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id6A
Drain Source On State Resistance0.022ohm
Transistor Case StyleSOIC
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3V
Power Dissipation3.3W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (04-Feb-2026)
產品總覽
The SI4850EY-T1-GE3 is a TrenchFET® N-channel enhancement-mode Power MOSFET with reduced total dynamic gate charge (Qg).
- Fast switching
- 175°C Maximum junction temperature
- Halogen-free
應用
Industrial, Power Management
技術規格
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
6A
Transistor Case Style
SOIC
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
3.3W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (04-Feb-2026)
Drain Source Voltage Vds
60V
Drain Source On State Resistance
0.022ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
No. of Pins
8Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
SI4850EY-T1-GE3 的替代選擇
找到 3 個產品
相關產品
找到 1 個產品
法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：Israel
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：Israel
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：是
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:是
RoHS
SVHC:No SVHC (04-Feb-2026)
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.000142