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SI4909DY-T1-GE3
Dual MOSFET, P Channel, 40 V, 40 V, 8 A, 8 A, 0.021 ohm
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| 數量 | 價格 |
|---|---|
| 1+ | NT$47.310 |
| 10+ | NT$33.890 |
| 100+ | NT$26.160 |
| 500+ | NT$20.730 |
| 1000+ | NT$18.680 |
| 5000+ | NT$17.480 |
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產品訊息
製造商VISHAY
製造商產品編號SI4909DY-T1-GE3复制
製造商標準前置時間56 週
訂購代碼2056726
技術資料表
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel40V
Drain Source Voltage Vds P Channel40V
Continuous Drain Current Id N Channel8A
Continuous Drain Current Id P Channel8A
Transistor Case StyleSOIC
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel3.2W
Power Dissipation P Channel3.2W
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (04-Feb-2026)
產品總覽
The SI4909DY-T1-GE3 is a dual P-channel MOSFET housed in a surface-mount package. It is suitable for load switches, notebook and desktop PC applications.
- Halogen-free
- TrenchFET® power MOSFET
- 100% Rg and UIS tested
應用
Industrial, Computers & Computer Peripherals, Power Management
技術規格
Channel Type
P Channel
Drain Source Voltage Vds P Channel
40V
Continuous Drain Current Id P Channel
8A
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
3.2W
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Drain Source Voltage Vds N Channel
40V
Continuous Drain Current Id N Channel
8A
Transistor Case Style
SOIC
Power Dissipation N Channel
3.2W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (04-Feb-2026)
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法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：Germany
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：Germany
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：是
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:是
RoHS
SVHC:No SVHC (04-Feb-2026)
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.000454