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SI5513CDC-T1-GE3
Dual MOSFET, Complementary N and P Channel, 20 V, 20 V, 4 A, 4 A, 0.045 ohm
圖片僅供舉例說明。 請參閱產品描述。
製造商VISHAY
製造商產品編號SI5513CDC-T1-GE3复制
製造商標準前置時間117 週
訂購代碼
複捲式3772765RL
條帶式包裝3772765
Product RangeTrench Series
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包裝選項
| 包裝類型 | 數量 | 單價: | 總計 |
|---|---|---|---|
| 條帶式包裝 | 1 | NT$28.460 | NT$28.46 |
| 總計 價格 | NT$28.46 | ||
條帶式包裝 & 複捲式
| 數量 | 價格 |
|---|---|
| 1+ | NT$28.460 |
| 10+ | NT$17.790 |
| 100+ | NT$11.550 |
| 500+ | NT$8.870 |
| 1000+ | NT$8.010 |
| 5000+ | NT$7.140 |
品項附註
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產品訊息
製造商VISHAY
製造商產品編號SI5513CDC-T1-GE3复制
製造商標準前置時間117 週
訂購代碼
複捲式3772765RL
條帶式包裝3772765
Product RangeTrench Series
技術資料表
Channel TypeComplementary N and P Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel20V
Drain Source Voltage Vds P Channel20V
Continuous Drain Current Id N Channel4A
Continuous Drain Current Id P Channel4A
Drain Source On State Resistance N Channel0.045ohm
Drain Source On State Resistance P Channel0.045ohm
Transistor Case StyleChipFET
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel3.1W
Power Dissipation P Channel3.1W
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrench Series
Qualification-
SVHCNo SVHC (04-Feb-2026)
技術規格
Channel Type
Complementary N and P Channel
Drain Source Voltage Vds P Channel
20V
Continuous Drain Current Id P Channel
4A
Drain Source On State Resistance P Channel
0.045ohm
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
3.1W
Product Range
Trench Series
SVHC
No SVHC (04-Feb-2026)
Drain Source Voltage Vds N Channel
20V
Continuous Drain Current Id N Channel
4A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.045ohm
Transistor Case Style
ChipFET
Power Dissipation N Channel
3.1W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：Germany
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：Germany
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：是
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:是
RoHS
SVHC:No SVHC (04-Feb-2026)
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.000001