列印頁面
SI5936DU-T1-GE3
Dual MOSFET, Dual N Channel, 30 V, 6 A, 0.025 ohm
圖片僅供舉例說明。 請參閱產品描述。
製造商VISHAY
製造商產品編號SI5936DU-T1-GE3复制
製造商標準前置時間56 週
訂購代碼
複捲式4853739RL
條帶式包裝4853739
Product RangeTrenchFET Series
您的零件号
1,835 有存貨
需要更多？
1,835 件可于 3-4 個工作日後配送(英國 件庫存)
包裝選項
| 包裝類型 | 數量 | 單價: | 總計 |
|---|---|---|---|
| 條帶式包裝 | 1 | NT$39.510 | NT$39.51 |
| 總計 價格 | NT$39.51 | ||
條帶式包裝 & 複捲式
| 數量 | 價格 |
|---|---|
| 1+ | NT$39.510 |
| 10+ | NT$24.770 |
| 100+ | NT$16.290 |
| 500+ | NT$15.000 |
| 1000+ | NT$13.340 |
| 5000+ | NT$11.670 |
品項附註
僅針對此訂單新增至訂單確認、發票和出貨備註。
產品訊息
製造商VISHAY
製造商產品編號SI5936DU-T1-GE3复制
製造商標準前置時間56 週
訂購代碼
複捲式4853739RL
條帶式包裝4853739
Product RangeTrenchFET Series
技術資料表
Channel TypeDual N Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel30V
Drain Source Voltage Vds P Channel-
Continuous Drain Current Id N Channel6A
Continuous Drain Current Id P Channel-
Drain Source On State Resistance N Channel0.025ohm
Drain Source On State Resistance P Channel-
Transistor Case StylePowerPAK ChipFET
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel10.4W
Power Dissipation P Channel-
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrenchFET Series
Qualification-
SVHCNo SVHC (04-Feb-2026)
技術規格
Channel Type
Dual N Channel
Drain Source Voltage Vds P Channel
-
Continuous Drain Current Id P Channel
-
Drain Source On State Resistance P Channel
-
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
-
Product Range
TrenchFET Series
SVHC
No SVHC (04-Feb-2026)
Drain Source Voltage Vds N Channel
30V
Continuous Drain Current Id N Channel
6A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.025ohm
Transistor Case Style
PowerPAK ChipFET
Power Dissipation N Channel
10.4W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
技術文件 (1)
法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：United States
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：United States
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：是
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:是
RoHS
SVHC:No SVHC (04-Feb-2026)
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.015