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SI6423DQ-T1-GE3
Power MOSFET, P Channel, 12 V, 8.2 A, 8500 µohm, TSSOP, Surface Mount
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產品訊息
製造商VISHAY
製造商產品編號SI6423DQ-T1-GE3复制
製造商標準前置時間18 週
訂購代碼2335338
技術資料表
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds12V
Continuous Drain Current Id8.2A
Drain Source On State Resistance8500µohm
Transistor Case StyleTSSOP
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage1.8V
Gate Source Threshold Voltage Max800mV
Power Dissipation1.05W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (04-Feb-2026)
產品總覽
- P-channel 12V (D-S) TrenchFET® power MOSFET
- Used in load switch
警告
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技術規格
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
8.2A
Transistor Case Style
TSSOP
Rds(on) Test Voltage
1.8V
Power Dissipation
1.05W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (04-Feb-2026)
Drain Source Voltage Vds
12V
Drain Source On State Resistance
8500µohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
800mV
No. of Pins
8Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：Israel
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：Israel
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：是
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:是
RoHS
SVHC:No SVHC (04-Feb-2026)
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.0001