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SI6562CDQ-T1-GE3
MOSFET, N & P CHANNEL, 20V, 6.7A, TSSOP-8
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| 數量 | 價格 |
|---|---|
| 1+ | NT$53.690 |
| 10+ | NT$25.360 |
| 100+ | NT$22.610 |
| 500+ | NT$17.760 |
| 1000+ | NT$14.170 |
| 5000+ | NT$13.850 |
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多項: 1
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產品訊息
製造商VISHAY
製造商產品編號SI6562CDQ-T1-GE3复制
製造商標準前置時間37 週
訂購代碼2458751
技術資料表
Channel TypeComplementary N and P Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel20V
Drain Source Voltage Vds P Channel20V
Continuous Drain Current Id N Channel6.7A
Continuous Drain Current Id P Channel6.7A
Drain Source On State Resistance N Channel0.18ohm
Drain Source On State Resistance P Channel0.18ohm
Transistor Case StyleTSSOP
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel1.6W
Power Dissipation P Channel1.6W
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (10-Jun-2022)
技術規格
Channel Type
Complementary N and P Channel
Drain Source Voltage Vds P Channel
20V
Continuous Drain Current Id P Channel
6.7A
Drain Source On State Resistance P Channel
0.18ohm
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
1.6W
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Drain Source Voltage Vds N Channel
20V
Continuous Drain Current Id N Channel
6.7A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.18ohm
Transistor Case Style
TSSOP
Power Dissipation N Channel
1.6W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (10-Jun-2022)
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法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：Germany
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：Germany
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85412900
符合 RoHS 規定：是
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:是
RoHS
SVHC:No SVHC (10-Jun-2022)
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.000192