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SI7439DP-T1-GE3
Power MOSFET, P Channel, 150 V, 5.2 A, 0.09 ohm, PowerPAK SO, Surface Mount
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產品訊息
製造商VISHAY
製造商產品編號SI7439DP-T1-GE3复制
製造商標準前置時間56 週
訂購代碼1858975
技術資料表
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds150V
Continuous Drain Current Id5.2A
Drain Source On State Resistance0.09ohm
Transistor Case StylePowerPAK SO
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation5.4W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (04-Feb-2026)
產品總覽
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技術規格
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
5.2A
Transistor Case Style
PowerPAK SO
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
5.4W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (04-Feb-2026)
Drain Source Voltage Vds
150V
Drain Source On State Resistance
0.09ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
8Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
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法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：Israel
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：Israel
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：是
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:是
RoHS
SVHC:No SVHC (04-Feb-2026)
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.002