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SI7456DDP-T1-GE3
Power MOSFET, N Channel, 100 V, 27.8 A, 0.023 ohm, PowerPAK SO, Surface Mount
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|---|---|
| 1+ | NT$102.840 |
| 10+ | NT$50.430 |
| 100+ | NT$45.230 |
| 500+ | NT$36.100 |
| 1000+ | NT$31.340 |
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產品訊息
製造商VISHAY
製造商產品編號SI7456DDP-T1-GE3复制
製造商標準前置時間56 週
訂購代碼2283676
技術資料表
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id27.8A
Drain Source On State Resistance0.023ohm
Transistor Case StylePowerPAK SO
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max1.5V
Power Dissipation35.7W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCLead (04-Feb-2026)
產品總覽
N-channel 100V (D-S) MOSFET for use in DC/DC primary side switch, telecom/server 48V, full/half-bridge DC/DC, industrial and synchronous rectification.
- TrenchFET® power MOSFET
- 100% Rg and UIS tested
警告
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技術規格
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
27.8A
Transistor Case Style
PowerPAK SO
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
35.7W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (04-Feb-2026)
Drain Source Voltage Vds
100V
Drain Source On State Resistance
0.023ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
1.5V
No. of Pins
8Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
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法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：是
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:是
RoHS
SVHC:Lead (04-Feb-2026)
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.00012