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SI7465DP-T1-GE3
Power MOSFET, P Channel, 60 V, 3.2 A, 0.064 ohm, PowerPAK SO, Surface Mount
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包裝選項
| 包裝類型 | 數量 | 單價: | 總計 |
|---|---|---|---|
| 條帶式包裝 | 5 | NT$48.670 | NT$243.35 |
| 總計 價格 | NT$243.35 | ||
條帶式包裝 & 複捲式
| 數量 | 價格 |
|---|---|
| 5+ | NT$48.670 |
| 50+ | NT$40.680 |
| 100+ | NT$32.690 |
| 500+ | NT$23.690 |
| 1500+ | NT$23.220 |
品項附註
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產品訊息
製造商VISHAY
製造商產品編號SI7465DP-T1-GE3复制
製造商標準前置時間46 週
訂購代碼
複捲式2295744RL
條帶式包裝2295744
技術資料表
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id3.2A
Drain Source On State Resistance0.064ohm
Transistor Case StylePowerPAK SO
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3V
Power Dissipation1.5W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (04-Feb-2026)
產品總覽
The SI7465DP-T1-GE3 is a 60VDS TrenchFET® P-channel enhancement-mode Power MOSFET with antiparallel diode.
- Low thermal resistance PowerPAK® package with small size and low 1.07mm profile
- Halogen-free
- -55 to 150°C Operating temperature range
應用
Industrial, Power Management
技術規格
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
3.2A
Transistor Case Style
PowerPAK SO
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
1.5W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (04-Feb-2026)
Drain Source Voltage Vds
60V
Drain Source On State Resistance
0.064ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
No. of Pins
8Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
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法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：Israel
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：Israel
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：是
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:是
RoHS
SVHC:No SVHC (04-Feb-2026)
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.000393