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SI7611DN-T1-GE3
Power MOSFET, P Channel, 40 V, 18 A, 0.025 ohm, PowerPAK 1212, Surface Mount
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| 數量 | 價格 |
|---|---|
| 1+ | NT$65.040 |
| 10+ | NT$44.470 |
| 100+ | NT$40.070 |
| 500+ | NT$33.100 |
| 1000+ | NT$29.870 |
| 5000+ | NT$28.330 |
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產品訊息
製造商VISHAY
製造商產品編號SI7611DN-T1-GE3复制
製造商標準前置時間56 週
訂購代碼2335367
技術資料表
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds40V
Continuous Drain Current Id18A
Drain Source On State Resistance0.025ohm
Transistor Case StylePowerPAK 1212
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage4.5V
Gate Source Threshold Voltage Max3V
Power Dissipation3.7W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCNo SVHC (04-Feb-2026)
產品總覽
The SI7611DN-T1-GE3 is a 40VDS TrenchFET® P-channel enhancement-mode Power MOSFET suitable for load switch applications.
- New low thermal resistance PowerPAK® package with small size and low 1.07mm profile
- 100% Rg tested
- Halogen-free
- -50 to 150°C Operating temperature range
應用
Industrial, Power Management
技術規格
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
18A
Transistor Case Style
PowerPAK 1212
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Power Dissipation
3.7W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (04-Feb-2026)
Drain Source Voltage Vds
40V
Drain Source On State Resistance
0.025ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
No. of Pins
8Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
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法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：Germany
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：Germany
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：是
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:是
RoHS
SVHC:No SVHC (04-Feb-2026)
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.0005