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SI7655ADN-T1-GE3
Power MOSFET, P Channel, 20 V, 40 A, 3000 µohm, PowerPAK 1212, Surface Mount
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產品訊息
製造商VISHAY
製造商產品編號SI7655ADN-T1-GE3复制
製造商標準前置時間56 週
訂購代碼2400368
技術資料表
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds20V
Continuous Drain Current Id40A
Drain Source On State Resistance3000µohm
Transistor Case StylePowerPAK 1212
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max-
Power Dissipation57W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCLead (04-Feb-2026)
產品總覽
The SI7655ADN-T1-GE3 is a 20VDS TrenchFET® P-channel enhancement-mode Power MOSFET suitable for load switch and battery switch applications.
- Low thermal resistance PowerPAK® package with small size and low 0.75mm profile
- 100% Rg tested
- 100% UIS tested
- Halogen-free
- -50 to 150°C Operating temperature range
應用
Industrial, Power Management, Portable Devices
技術規格
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
40A
Transistor Case Style
PowerPAK 1212
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
57W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (04-Feb-2026)
Drain Source Voltage Vds
20V
Drain Source On State Resistance
3000µohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
-
No. of Pins
8Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：是
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:是
RoHS
SVHC:Lead (04-Feb-2026)
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.000191