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SI7998DP-T1-GE3
Dual MOSFET, N Channel, 30 V, 30 V, 30 A, 30 A, 7600 µohm
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製造商VISHAY
製造商產品編號SI7998DP-T1-GE3复制
製造商標準前置時間56 週
訂購代碼
複捲式3772791RL
條帶式包裝3772791
Product RangeTrenchFET Series
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包裝選項
| 包裝類型 | 數量 | 單價: | 總計 |
|---|---|---|---|
| 條帶式包裝 | 1 | NT$87.750 | NT$87.75 |
| 總計 價格 | NT$87.75 | ||
條帶式包裝 & 複捲式
| 數量 | 價格 |
|---|---|
| 1+ | NT$87.750 |
| 10+ | NT$56.340 |
| 100+ | NT$38.020 |
| 500+ | NT$30.280 |
| 1000+ | NT$25.560 |
| 5000+ | NT$25.050 |
品項附註
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產品訊息
製造商VISHAY
製造商產品編號SI7998DP-T1-GE3复制
製造商標準前置時間56 週
訂購代碼
複捲式3772791RL
條帶式包裝3772791
Product RangeTrenchFET Series
技術資料表
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel30V
Drain Source Voltage Vds P Channel30V
Continuous Drain Current Id N Channel30A
Continuous Drain Current Id P Channel30A
Drain Source On State Resistance N Channel7600µohm
Drain Source On State Resistance P Channel7600µohm
Transistor Case StylePowerPAK SO
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel40W
Power Dissipation P Channel40W
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrenchFET Series
Qualification-
SVHCLead (04-Feb-2026)
技術規格
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds P Channel
30V
Continuous Drain Current Id P Channel
30A
Drain Source On State Resistance P Channel
7600µohm
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
40W
Product Range
TrenchFET Series
SVHC
Lead (04-Feb-2026)
Drain Source Voltage Vds N Channel
30V
Continuous Drain Current Id N Channel
30A
Drain Source On State Resistance N Channel
7600µohm
Transistor Case Style
PowerPAK SO
Power Dissipation N Channel
40W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：Germany
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：Germany
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：是
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:是
RoHS
SVHC:Lead (04-Feb-2026)
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.000001