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SI8808DB-T2-E1
Power MOSFET, N Channel, 30 V, 2.5 A, 0.095 ohm, MICRO FOOT, Surface Mount
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製造商VISHAY
製造商產品編號SI8808DB-T2-E1复制
製造商標準前置時間58 週
訂購代碼
複捲式4853662RL
條帶式包裝4853662
Product RangeTrenchFET Series
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包裝選項
| 包裝類型 | 數量 | 單價: | 總計 |
|---|---|---|---|
| 條帶式包裝 | 5 | NT$24.260 | NT$121.30 |
| 總計 價格 | NT$121.30 | ||
條帶式包裝 & 複捲式
| 數量 | 價格 |
|---|---|
| 5+ | NT$24.260 |
| 10+ | NT$10.940 |
| 100+ | NT$9.640 |
| 500+ | NT$7.320 |
| 1000+ | NT$5.600 |
| 5000+ | NT$4.920 |
品項附註
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產品訊息
製造商VISHAY
製造商產品編號SI8808DB-T2-E1复制
製造商標準前置時間58 週
訂購代碼
複捲式4853662RL
條帶式包裝4853662
Product RangeTrenchFET Series
技術資料表
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id2.5A
Drain Source On State Resistance0.095ohm
Transistor Case StyleMICRO FOOT
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage4.5V
Gate Source Threshold Voltage Max900mV
Power Dissipation900mW
No. of Pins4Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrenchFET Series
Qualification-
SVHCNo SVHC (04-Feb-2026)
技術規格
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
2.5A
Transistor Case Style
MICRO FOOT
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Power Dissipation
900mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
30V
Drain Source On State Resistance
0.095ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
900mV
No. of Pins
4Pins
Product Range
TrenchFET Series
SVHC
No SVHC (04-Feb-2026)
技術文件 (1)
法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：Germany
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：Germany
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：是
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:是
RoHS
SVHC:No SVHC (04-Feb-2026)
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.015