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SI8816EDB-T2-E1
Power MOSFET, N Channel, 30 V, 2.3 A, 0.087 ohm, MICRO FOOT, Surface Mount
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| 數量 | 價格 |
|---|---|
| 5+ | NT$22.320 |
| 10+ | NT$10.060 |
| 100+ | NT$8.870 |
| 500+ | NT$6.740 |
| 1000+ | NT$5.120 |
| 5000+ | NT$4.440 |
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產品訊息
製造商VISHAY
製造商產品編號SI8816EDB-T2-E1复制
製造商標準前置時間18 週
訂購代碼2364065
技術資料表
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id2.3A
Drain Source On State Resistance0.087ohm
Transistor Case StyleMICRO FOOT
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max600mV
Power Dissipation900mW
No. of Pins4Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCNo SVHC (04-Feb-2026)
產品總覽
The SI8816EDB-T2-E1 is a 30VDS TrenchFET® N-channel enhancement-mode Power MOSFET suitable for load switch, OVP management, high-speed switching and DC-to-DC converter applications.
- 0.8 x 0.8mm Ultra-small outline
- 0.4mm Maximum ultra-thin height
- 1700V ESD protection
應用
Industrial, Power Management, Portable Devices
技術規格
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
2.3A
Transistor Case Style
MICRO FOOT
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
900mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (04-Feb-2026)
Drain Source Voltage Vds
30V
Drain Source On State Resistance
0.087ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
600mV
No. of Pins
4Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：Germany
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：Germany
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：是
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:是
RoHS
SVHC:No SVHC (04-Feb-2026)
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.00012