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SI8817DB-T2-E1
Power MOSFET, P Channel, 20 V, 2.9 A, 0.061 ohm, MICRO FOOT, Surface Mount
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|---|---|
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| 1000+ | NT$5.110 |
| 5000+ | NT$5.010 |
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產品訊息
製造商VISHAY
製造商產品編號SI8817DB-T2-E1
訂購代碼3772797RL
Product RangeTrenchFET
技術資料表
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds20V
Continuous Drain Current Id2.9A
Drain Source On State Resistance0.061ohm
Transistor Case StyleMICRO FOOT
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage4.5V
Gate Source Threshold Voltage Max1V
Power Dissipation900mW
No. of Pins4Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrenchFET
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
技術規格
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
2.9A
Transistor Case Style
MICRO FOOT
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Power Dissipation
900mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
20V
Drain Source On State Resistance
0.061ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
1V
No. of Pins
4Pins
Product Range
TrenchFET
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：United States
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：United States
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：是
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.005262