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SI9424BDY-T1-GE3
Power MOSFET, P Channel, 20 V, 5.6 A, 0.025 ohm, SOIC, Surface Mount
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產品訊息
製造商VISHAY
製造商產品編號SI9424BDY-T1-GE3复制
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複捲式1794809RL
條帶式包裝1794809
技術資料表
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds20V
Continuous Drain Current Id5.6A
Drain Source On State Resistance0.025ohm
Transistor Case StyleSOIC
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage4.5V
Gate Source Threshold Voltage Max450mV
Power Dissipation1.25W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SI9424BDY-T1-GE3 的替代選擇
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技術規格
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
5.6A
Transistor Case Style
SOIC
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Power Dissipation
1.25W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
20V
Drain Source On State Resistance
0.025ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
450mV
No. of Pins
8Pins
Product Range
-
技術文件 (1)
法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85411000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：是
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:待通知
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.0005