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SI9634DY-T1-GE3
Dual MOSFET, N Channel, 60 V, 8 A, 0.029 ohm
圖片僅供舉例說明。 請參閱產品描述。
製造商VISHAY
製造商產品編號SI9634DY-T1-GE3复制
製造商標準前置時間56 週
訂購代碼
複捲式4139039RL
條帶式包裝4139039
Product RangeTrenchFET Gen IV Series
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包裝選項
| 包裝類型 | 數量 | 單價: | 總計 |
|---|---|---|---|
| 條帶式包裝 | 1 | NT$53.000 | NT$53.00 |
| 總計 價格 | NT$53.00 | ||
條帶式包裝 & 複捲式
| 數量 | 價格 |
|---|---|
| 1+ | NT$53.000 |
| 10+ | NT$33.230 |
| 100+ | NT$22.000 |
| 500+ | NT$17.150 |
| 1000+ | NT$13.880 |
| 5000+ | NT$12.640 |
品項附註
僅針對此訂單新增至訂單確認、發票和出貨備註。
產品訊息
製造商VISHAY
製造商產品編號SI9634DY-T1-GE3复制
製造商標準前置時間56 週
訂購代碼
複捲式4139039RL
條帶式包裝4139039
Product RangeTrenchFET Gen IV Series
技術資料表
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel60V
Drain Source Voltage Vds P Channel-
Continuous Drain Current Id N Channel8A
Continuous Drain Current Id P Channel-
Drain Source On State Resistance N Channel0.029ohm
Transistor Case StyleSOIC
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel3.6W
Power Dissipation P Channel-
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrenchFET Gen IV Series
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
技術規格
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds P Channel
-
Continuous Drain Current Id P Channel
-
Transistor Case Style
SOIC
Power Dissipation N Channel
3.6W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds N Channel
60V
Continuous Drain Current Id N Channel
8A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.029ohm
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
-
Product Range
TrenchFET Gen IV Series
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：Israel
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：Israel
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：是
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.000154