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SIA4263DJ-T1-GE3
Power MOSFET, P Channel, 20 V, 12 A, 0.022 ohm, PowerPAK SC-70, Surface Mount
圖片僅供舉例說明。 請參閱產品描述。
製造商VISHAY
製造商產品編號SIA4263DJ-T1-GE3复制
製造商標準前置時間18 週
訂購代碼
複捲式3927781RL
條帶式包裝3927781
Product RangeTrenchFET Gen III Series
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包裝選項
| 包裝類型 | 數量 | 單價: | 總計 |
|---|---|---|---|
| 條帶式包裝 | 1 | NT$33.440 | NT$33.44 |
| 總計 價格 | NT$33.44 | ||
條帶式包裝 & 複捲式
| 數量 | 價格 |
|---|---|
| 1+ | NT$33.440 |
| 10+ | NT$20.820 |
| 100+ | NT$13.560 |
| 500+ | NT$10.420 |
| 1000+ | NT$8.090 |
| 5000+ | NT$7.740 |
品項附註
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產品訊息
製造商VISHAY
製造商產品編號SIA4263DJ-T1-GE3复制
製造商標準前置時間18 週
訂購代碼
複捲式3927781RL
條帶式包裝3927781
Product RangeTrenchFET Gen III Series
技術資料表
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds20V
Continuous Drain Current Id12A
Drain Source On State Resistance0.022ohm
Transistor Case StylePowerPAK SC-70
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage4.5V
Gate Source Threshold Voltage Max1V
Power Dissipation15.6W
No. of Pins7Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrenchFET Gen III Series
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
技術規格
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
12A
Transistor Case Style
PowerPAK SC-70
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Power Dissipation
15.6W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Drain Source Voltage Vds
20V
Drain Source On State Resistance
0.022ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
1V
No. of Pins
7Pins
Product Range
TrenchFET Gen III Series
MSL
MSL 1 - Unlimited
法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：Israel
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：Israel
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：是
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.000001