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SIA436DJ-T1-GE3
Power MOSFET, N Channel, 8 V, 12 A, 9400 µohm, PowerPAK SC-70, Surface Mount
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包裝選項
| 包裝類型 | 數量 | 單價: | 總計 |
|---|---|---|---|
| 條帶式包裝 | 5 | NT$22.290 | NT$111.45 |
| 總計 價格 | NT$111.45 | ||
條帶式包裝 & 複捲式
| 數量 | 價格 |
|---|---|
| 5+ | NT$22.290 |
| 50+ | NT$18.480 |
| 100+ | NT$14.660 |
| 500+ | NT$10.840 |
| 1500+ | NT$10.630 |
品項附註
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產品訊息
製造商VISHAY
製造商產品編號SIA436DJ-T1-GE3复制
製造商標準前置時間56 週
訂購代碼
複捲式2283648RL
條帶式包裝2283648
技術資料表
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds8V
Continuous Drain Current Id12A
Drain Source On State Resistance9400µohm
Transistor Case StylePowerPAK SC-70
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage4.5V
Gate Source Threshold Voltage Max350mV
Power Dissipation19W
No. of Pins6Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (04-Feb-2026)
產品總覽
- N-channel 8V (D-S) TrenchFET® power MOSFET
- Thermally enhanced PowerPAK® SC-70 package
- 100 % Rg tested
- Used in load switch for portable applications such as smart phones, tablet PCs and mobile computing
警告
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
技術規格
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
12A
Transistor Case Style
PowerPAK SC-70
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Power Dissipation
19W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (04-Feb-2026)
Drain Source Voltage Vds
8V
Drain Source On State Resistance
9400µohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
350mV
No. of Pins
6Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：Germany
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：Germany
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：是
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:是
RoHS
SVHC:No SVHC (04-Feb-2026)
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.00012