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SIA4371EDJ-T1-GE3
Power MOSFET, P Channel, 30 V, 9 A, 0.045 ohm, PowerPAK SC-70, Surface Mount
圖片僅供舉例說明。 請參閱產品描述。
製造商VISHAY
製造商產品編號SIA4371EDJ-T1-GE3复制
製造商標準前置時間56 週
訂購代碼
複捲式3927779RL
條帶式包裝3927779
Product RangeTrenchFET Series
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包裝選項
| 包裝類型 | 數量 | 單價: | 總計 |
|---|---|---|---|
| 複捲式 | 5 | NT$16.400 | NT$82.00 |
| 總計 價格 | NT$82.00 | ||
條帶式包裝 & 複捲式
| 數量 | 價格 |
|---|---|
| 5+ | NT$16.400 |
| 10+ | NT$10.790 |
| 100+ | NT$5.330 |
| 500+ | NT$4.680 |
品項附註
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產品訊息
製造商VISHAY
製造商產品編號SIA4371EDJ-T1-GE3复制
製造商標準前置時間56 週
訂購代碼
複捲式3927779RL
條帶式包裝3927779
Product RangeTrenchFET Series
技術資料表
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id9A
Drain Source On State Resistance0.045ohm
Transistor Case StylePowerPAK SC-70
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max1.5V
Power Dissipation15.6W
No. of Pins7Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrenchFET Series
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
技術規格
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
9A
Transistor Case Style
PowerPAK SC-70
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
15.6W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Drain Source Voltage Vds
30V
Drain Source On State Resistance
0.045ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
1.5V
No. of Pins
7Pins
Product Range
TrenchFET Series
MSL
MSL 1 - Unlimited
法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：Germany
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：Germany
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：是
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.000001