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SIA4446DJ-T1-GE3
Power MOSFET, N Channel, 40 V, 31 A, 0.011 ohm, PowerPAK SC-70, Surface Mount
圖片僅供舉例說明。 請參閱產品描述。
製造商VISHAY
製造商產品編號SIA4446DJ-T1-GE3复制
製造商標準前置時間56 週
訂購代碼
複捲式4241520RL
條帶式包裝4241520
Product RangeTrenchFET Gen IV Series
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包裝選項
| 包裝類型 | 數量 | 單價: | 總計 |
|---|---|---|---|
| 條帶式包裝 | 1 | NT$36.820 | NT$36.82 |
| 總計 價格 | NT$36.82 | ||
條帶式包裝 & 複捲式
| 數量 | 價格 |
|---|---|
| 1+ | NT$36.820 |
| 10+ | NT$17.100 |
| 100+ | NT$15.150 |
| 500+ | NT$11.720 |
| 1000+ | NT$9.190 |
| 5000+ | NT$8.580 |
品項附註
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產品訊息
製造商VISHAY
製造商產品編號SIA4446DJ-T1-GE3复制
製造商標準前置時間56 週
訂購代碼
複捲式4241520RL
條帶式包裝4241520
Product RangeTrenchFET Gen IV Series
技術資料表
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds40V
Continuous Drain Current Id31A
Drain Source On State Resistance0.011ohm
Transistor Case StylePowerPAK SC-70
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.4V
Power Dissipation19.2W
No. of Pins7Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrenchFET Gen IV Series
Qualification-
SVHCLead (21-Jan-2025)
技術規格
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
31A
Transistor Case Style
PowerPAK SC-70
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
19.2W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
40V
Drain Source On State Resistance
0.011ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2.4V
No. of Pins
7Pins
Product Range
TrenchFET Gen IV Series
SVHC
Lead (21-Jan-2025)
技術文件 (1)
法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：是
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:是
RoHS
SVHC:Lead (21-Jan-2025)
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.000001