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SIA461DJ-T1-GE3
Power MOSFET, P Channel, 20 V, 12 A, 0.033 ohm, PowerPAK SC-70, Surface Mount
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包裝選項
| 包裝類型 | 數量 | 單價: | 總計 |
|---|---|---|---|
| 條帶式包裝 | 5 | NT$23.990 | NT$119.95 |
| 總計 價格 | NT$119.95 | ||
條帶式包裝 & 複捲式
| 數量 | 價格 |
|---|---|
| 5+ | NT$23.990 |
| 10+ | NT$14.800 |
| 100+ | NT$9.500 |
| 500+ | NT$7.200 |
| 1000+ | NT$6.420 |
| 5000+ | NT$5.660 |
品項附註
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產品訊息
製造商VISHAY
製造商產品編號SIA461DJ-T1-GE3复制
製造商標準前置時間56 週
訂購代碼
複捲式2283658RL
條帶式包裝2283658
技術資料表
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds20V
Continuous Drain Current Id12A
Drain Source On State Resistance0.033ohm
Transistor Case StylePowerPAK SC-70
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage4.5V
Gate Source Threshold Voltage Max400mV
Power Dissipation17.9W
No. of Pins6Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (04-Feb-2026)
產品總覽
- P-channel 20V (D-S) TrenchFET® power MOSFET
- Thermally enhanced PowerPAK® SC-70 package
- Low on-resistance
- Used in smart phones, tablet PCs, mobile computing
警告
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技術規格
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
12A
Transistor Case Style
PowerPAK SC-70
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Power Dissipation
17.9W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (04-Feb-2026)
Drain Source Voltage Vds
20V
Drain Source On State Resistance
0.033ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
400mV
No. of Pins
6Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
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法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：Germany
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：Germany
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：是
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:是
RoHS
SVHC:No SVHC (04-Feb-2026)
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.00012