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SIA906EDJ-T1-GE3
Dual MOSFET, N Channel, 20 V, 20 V, 4.5 A, 4.5 A, 0.037 ohm
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製造商VISHAY
製造商產品編號SIA906EDJ-T1-GE3复制
製造商標準前置時間56 週
訂購代碼
複捲式2889714RL
條帶式包裝2889714
Product RangeTrenchFET Series
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包裝選項
| 包裝類型 | 數量 | 單價: | 總計 |
|---|---|---|---|
| 條帶式包裝 | 1 | NT$33.940 | NT$33.94 |
| 總計 價格 | NT$33.94 | ||
條帶式包裝 & 複捲式
| 數量 | 價格 |
|---|---|
| 1+ | NT$33.940 |
| 10+ | NT$21.010 |
| 100+ | NT$13.660 |
| 500+ | NT$10.480 |
| 1000+ | NT$8.120 |
| 5000+ | NT$7.270 |
品項附註
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產品訊息
製造商VISHAY
製造商產品編號SIA906EDJ-T1-GE3复制
製造商標準前置時間56 週
訂購代碼
複捲式2889714RL
條帶式包裝2889714
Product RangeTrenchFET Series
技術資料表
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel20V
Drain Source Voltage Vds P Channel20V
Continuous Drain Current Id N Channel4.5A
Continuous Drain Current Id P Channel4.5A
Drain Source On State Resistance N Channel0.037ohm
Drain Source On State Resistance P Channel0.037ohm
Transistor Case StylePowerPAK SC-70
No. of Pins6Pins
Power Dissipation N Channel7.8W
Power Dissipation P Channel7.8W
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrenchFET Series
Qualification-
SVHCNo SVHC (04-Feb-2026)
技術規格
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds P Channel
20V
Continuous Drain Current Id P Channel
4.5A
Drain Source On State Resistance P Channel
0.037ohm
No. of Pins
6Pins
Power Dissipation P Channel
7.8W
Product Range
TrenchFET Series
MSL
MSL 1 - Unlimited
Drain Source Voltage Vds N Channel
20V
Continuous Drain Current Id N Channel
4.5A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.037ohm
Transistor Case Style
PowerPAK SC-70
Power Dissipation N Channel
7.8W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (04-Feb-2026)
法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：United States
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：United States
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：是
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:是
RoHS
SVHC:No SVHC (04-Feb-2026)
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.025