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SIDR668ADP-T1-RE3
Power MOSFET, N Channel, 100 V, 104 A, 4800 µohm, PowerPAK SO-DC, Through Hole
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| 數量 | 價格 |
|---|---|
| 1+ | NT$128.370 |
| 10+ | NT$65.000 |
| 100+ | NT$58.860 |
| 500+ | NT$48.510 |
| 1000+ | NT$47.540 |
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最少: 1
多項: 1
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產品訊息
製造商VISHAY
製造商產品編號SIDR668ADP-T1-RE3复制
製造商標準前置時間56 週
訂購代碼3350740
Product RangeTrenchFET Gen IV
技術資料表
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id104A
Drain Source On State Resistance4800µohm
Transistor Case StylePowerPAK SO-DC
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation125W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrenchFET Gen IV
Qualification-
SVHCLead (04-Feb-2026)
技術規格
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
104A
Transistor Case Style
PowerPAK SO-DC
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
125W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (04-Feb-2026)
Drain Source Voltage Vds
100V
Drain Source On State Resistance
4800µohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
8Pins
Product Range
TrenchFET Gen IV
MSL
MSL 1 - Unlimited
法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：Israel
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：Israel
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：是
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:是
RoHS
SVHC:Lead (04-Feb-2026)
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.000001