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產品訊息
製造商VISHAY
製造商產品編號SIHA105N60EF-GE3复制
製造商標準前置時間35 週
訂購代碼3365526
Product RangeEF IV Gen
技術資料表
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds600V
Continuous Drain Current Id29A
Drain Source On State Resistance0.102ohm
Transistor Case StyleTO-220FP
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max5V
Power Dissipation35W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeEF IV Gen
Qualification-
SVHCLead (04-Feb-2026)
技術規格
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
29A
Transistor Case Style
TO-220FP
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
35W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (04-Feb-2026)
Drain Source Voltage Vds
600V
Drain Source On State Resistance
0.102ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
5V
No. of Pins
3Pins
Product Range
EF IV Gen
MSL
MSL 1 - Unlimited
SIHA105N60EF-GE3 的替代選擇
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法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：Israel
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：Israel
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：是
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:是
RoHS
SVHC:Lead (04-Feb-2026)
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.001