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SIHB12N65E-GE3
Power MOSFET, N Channel, 650 V, 12 A, 0.38 ohm, TO-263 (D2PAK), Surface Mount
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|---|---|
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| 10+ | NT$63.390 |
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| 500+ | NT$46.890 |
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產品訊息
製造商VISHAY
製造商產品編號SIHB12N65E-GE3复制
製造商標準前置時間6 週
訂購代碼2400357
技術資料表
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds650V
Continuous Drain Current Id12A
Drain Source On State Resistance0.38ohm
Transistor Case StyleTO-263 (D2PAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max-
Power Dissipation156W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCLead (04-Feb-2026)
技術規格
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
12A
Transistor Case Style
TO-263 (D2PAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
156W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (04-Feb-2026)
Drain Source Voltage Vds
650V
Drain Source On State Resistance
0.38ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
-
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
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法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：Israel
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：Israel
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：是
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:是
RoHS
SVHC:Lead (04-Feb-2026)
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.0014