列印頁面
SIHG14N50D-GE3
Power MOSFET, N Channel, 500 V, 14 A, 0.4 ohm, TO-247AC, Through Hole
圖片僅供舉例說明。 請參閱產品描述。
442 有存貨
需要更多？
442 件可于 3-4 個工作日後配送(英國 件庫存)
存貨供應完畢便停止銷售
| 數量 | 價格 |
|---|---|
| 1+ | NT$118.630 |
| 10+ | NT$73.830 |
| 100+ | NT$57.930 |
| 500+ | NT$49.640 |
| 1000+ | NT$46.970 |
價格Each
最少: 1
多項: 1
NT$118.63
品項附註
僅針對此訂單新增至訂單確認、發票和出貨備註。
產品訊息
製造商VISHAY
製造商產品編號SIHG14N50D-GE3复制
製造商標準前置時間17 週
訂購代碼2283630
Product RangeD
技術資料表
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds500V
Continuous Drain Current Id14A
Drain Source On State Resistance0.4ohm
Transistor Case StyleTO-247AC
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3V
Power Dissipation208W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeD
Qualification-
SVHCLead (19-Jan-2021)
SIHG14N50D-GE3 的替代選擇
找到 5 個產品
產品總覽
The SIHG14N50D-GE3 is a D series N-channel enhancement-mode Power MOSFET suitable for consumer electronics, telecom power supply and battery charger applications.
- Low area specific ON-resistance
- Low input capacitance (CISS)
- Reduced capacitive switching losses
- High body diode ruggedness
- Avalanche energy rated (UIS)
- Simple gate drive circuitry
- Low figure-of-merit (FOM) Ron x Qg
- Fast switching
- Halogen-free
應用
Industrial, Power Management, Portable Devices, Consumer Electronics
技術規格
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
14A
Transistor Case Style
TO-247AC
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
208W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (19-Jan-2021)
Drain Source Voltage Vds
500V
Drain Source On State Resistance
0.4ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
No. of Pins
3Pins
Product Range
D
MSL
MSL 1 - Unlimited
相關產品
找到 1 個產品
法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：是
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:是
RoHS
SVHC:Lead (19-Jan-2021)
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.006287