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SIHG47N60E-E3
Power MOSFET, N Channel, 600 V, 47 A, 0.064 ohm, TO-247AC, Through Hole
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產品訊息
製造商VISHAY
製造商產品編號SIHG47N60E-E3
訂購代碼2079780
Product RangeE
技術資料表
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds600V
Continuous Drain Current Id47A
Drain Source On State Resistance0.064ohm
Transistor Case StyleTO-247AC
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.5V
Power Dissipation357W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeE
Qualification-
SVHCLead (21-Jan-2025)
產品總覽
應用
Industrial, Power Management, Communications & Networking, Lighting, Portable Devices, Computers & Computer Peripherals, Alternative Energy, Motor Drive & Control
警告
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技術規格
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
47A
Transistor Case Style
TO-247AC
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
357W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
600V
Drain Source On State Resistance
0.064ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
2.5V
No. of Pins
3Pins
Product Range
E
MSL
MSL 1 - Unlimited
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法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：是
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:是
RoHS
SVHC:Lead (21-Jan-2025)
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.006